IGBT是一種常用于高壓、高電流的功率半導體器件，具有高開關(guān)速度、低導通壓降和高短路耐受能力等優(yōu)點，在充電樁中廣泛應用；還可以通過PWM（脈寬調(diào)制）技術(shù)進行精確控制，以實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和電能傳輸，并提供穩(wěn)定、可靠的電力輸出給電動車輛。

應用在充電樁上的IGBT主要用于控制充電樁輸出電流的開關(guān)，以實現(xiàn)對電動汽車進行充電；可以根據(jù)控制信號的輸入來控制其通斷狀態(tài)，并且能夠快速地進行開關(guān)操作，從而控制充電樁輸出電流的大小和穩(wěn)定性。

在充電樁中，充電電流需要根據(jù)電動汽車的需求進行調(diào)節(jié)，以達到快速而穩(wěn)定的充電效果；而IGBT的可調(diào)電流特性正好滿足了這一需求。通過控制IGBT的開關(guān)狀態(tài)，可以實現(xiàn)對充電電流的精確控制，從而滿足不同電動汽車的充電需求。

【資料圖】

此外，由于充電樁需要處理較高的電壓和電流，所以IGBT還需要具備高耐壓和大電流承載能力的特點；IGBT的結(jié)構(gòu)設計和材料選擇，使得它能夠承受較高的電壓和電流，從而保證充電樁的安全和可靠性。

以下是IGBT在充電樁中的應用：

充電控制：IGBT可以作為充電樁中的主要開關(guān)裝置，用于控制輸入和輸出的電流。它可以實現(xiàn)快速、精確的充電控制，以適應不同類型和需求的電動車。

電池充電：IGBT可以將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，并通過控制電流大小和時間來充電電動車的電池。IGBT的高效性和快速開關(guān)特性可減少能量損耗，并提供更穩(wěn)定和可靠的充電過程。

充電保護：IGBT還可以監(jiān)測電池充電狀態(tài)，并實施保護措施，以防止過充、過放和過流等問題。它可以檢測并響應異常情況，以確保充電過程的安全性和可靠性。

通信和控制：IGBT在充電樁中還可以用于與外部系統(tǒng)進行通信和控制。它可以與電動車輛通信，獲取和傳輸充電相關(guān)的信息，例如電池容量、充電時間和充電速度等。

臺灣茂矽電子成立于1987年，晶圓制造長期聚焦在功率半導體元件及電源管理IC領域，以MOS管、IGBT，模擬芯片、二極管等產(chǎn)品為主，降低晶圓導通電阻，通過六寸晶圓降低IGBT製造成本并得到較高的良率；打破國外壟斷現(xiàn)象。

目前市面上出現(xiàn)的晶圓直徑主要是150mm、200mm、300mm，分別對應6英寸、8英寸、12英寸的晶圓；國產(chǎn)芯片在晶圓的產(chǎn)能上，也就是在6寸上有優(yōu)勢；

全球10大8”晶圓廠約有40座,其中33座在亞洲(臺灣15座,中國8座)在2019-2021產(chǎn)能僅擴廠5%,仍不足以滿足后續(xù)電動車與工業(yè)控制市場,導致IGBT持續(xù)漲價。

由工采網(wǎng)代理的臺灣茂矽電子推出的IGBT晶圓是有幾款1200V、FS工藝(15A、25A、40A、50A、75A)6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù)；低開關(guān)損耗；正溫度系數(shù)；簡單的平行技術(shù)。

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原文標題 : 新能源汽車及充電樁中IGBT的應用及地位